Serie Ultra T 2.0
Ultra T 2.0 è la nuova generazione di prodotti TOPCon di tipo N ad alta efficienza di Suntech. Adotta in modo innovativo wafer di silicio rettangolari 210R e un design di grandi dimensioni da 210 mm, raggiungendo un’efficienza di conversione di potenza di picco superiore al 27%.
Disponibile in diverse configurazioni di moduli da 48, 54 e 66 celle, questa serie offre una maggiore efficienza di conversione e bifaccialità rispetto ai prodotti convenzionali da 182 mm. Ottimizza inoltre le prestazioni di attenuazione annuale per garantire una generazione di energia stabile. Suntech offre una garanzia di 15 anni sul prodotto e una garanzia di 30 anni sulla potenza erogata, tutelando pienamente i vantaggi a lungo termine e il valore dell’investimento dei clienti.
Wafer di silicio di grandi dimensioni da 210R e 210 mm, celle TOPCon ad alta efficienza.
Grazie all’adozione di celle TOPCon di grandi dimensioni e ad alta efficienza, da 210R e 210 mm, con una potenza massima in uscita fino a 735 W+, è in grado di fornire ai clienti una soluzione energetica affidabile ed efficiente.
Zero LID, garanzia di alimentazione di 30 anni
I wafer di silicio drogato con fosforo di tipo N, privi di complessi boro-ossigeno, insieme a un’eccellente tecnologia di passivazione dell’idrogeno, possono raggiungere un LID pari a zero. La garanzia di potenza può arrivare a 30 anni, con un degrado inferiore all’1% nel primo anno, assicurando che la potenza di uscita dopo 30 anni non sia inferiore all’87,40% della potenza di uscita originale.
L'elevata bifaccialità e il basso coefficiente di temperatura contribuiscono a ottenere un LCOE inferiore.
I prodotti TOPCon presentano una bifaccialità massima fino all’85%, superiore di oltre il 10% rispetto al PERC. L’aumento della bifaccialità si traduce in un incremento della produzione di energia pari allo 0,8-1,2%. Inoltre, il coefficiente di temperatura inferiore (solo -0,29%/°C) comporta una minore diminuzione della produzione di energia in ambienti ad alta temperatura, mantenendo un’efficienza di generazione più elevata e contribuendo a un LCOE inferiore.
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